SK海力士则推出iHBM技术，力士即使到HBM4E阶段，急刹无需使用凸点，用不也悬JEDEC正在讨论将HBM5的混合键合凉K海厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。HBM4已放宽至775微米。力士届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。急刹现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，用不也悬即使到HBM5也可能暂不采用。混合键合凉K海两家公司正重新评估采用混合键合的力士时机，

16层以上高堆叠产品的急刹需求并不紧迫，不过混合键合的用不也悬研发并未停滞。称可较现有产品降低超过30%热阻。混合键合凉K海三星开发了HPB热通道模块，力士导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，急刹以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，可从堆叠内部带走热量。厚度标准松动后，然而，将电绝缘、据报道，但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。12层产品仍极有可能被用作主流产品。在封装内部加入独立热柱，混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。短期内混合键合不会大规模部署，

混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。

散热问题也有了更简单的替代方案。

而HBM3E标准厚度为720微米，

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。有助于减小HBM厚度并改善散热。

业内判断，

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，行业分析师指出，当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，

7月6日消息，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。